MRF1517T1 Transistor de Pot, RF, Fet, Canal N, 8 W. MRF-1517-T1

El Transistor MRF1517T1 está diseñado para aplicaciones comerciales e industriales de banda ancha en frecuencias de hasta 520 MHz.  La alta ganancia y el rendimiento de banda ancha de este dispositivo lo hacen ideal para aplicaciones de amplificador de fuente común de gran señal en equipos FM portátiles de 7 5 voltios

Rendimiento especificado @ 520 MHz 7.5 Volts.

• Potencia de salida 8 Watts.
•  Ganancia de potencia 11dB.
• Eficiencia- 55%. 
• Caracterizado con parámetros de impedancia de señal grande equivalente en serie.
• Excelente estabilidad térmica.
• Capaz de manejar 20:1 VSWR @ 9 5 Vcc 520 MHz 2 dB de sobremodulación.
• Envase de plástico de montaje superficial de potencia RF.

MRF-1517-T1 Transistor de Pot, RF, Fet, Canal N, 8 W. MRF1517T1

08-07-2025 07:10:09 SSN1 U-0